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CA-IS3213MCG
IC

SOIC-8-WB

可供量大可议

CA-IS3213MCG

CA-IS3213 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器, 可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。 器件具有出色的动态性能和高可靠性, 同时具有高达 ±15A 峰值的拉/灌电流能力。 器件通过 SiO₂ 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离, 支持 1.5kV_RMS 的隔离工作电压、12.8kV_PK 浪涌抗扰度, 额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年, 同时具有良好的器件一致性以及 >150V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。

品牌

Chipanalog

封装

SOIC-8-WB

库存

1,000

货期

现货

CA-IS3213MCG参数

封装SOIC-8-WB
品牌Chipanalog(川土微)
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT; MOSFET
输入侧工作电压3V~5.5V
灌电流(IOL)15A
上升时间(tr)30ns
传播延迟 tpLH130ns
输入高电平(VIH)2.1V~5.5V
静态电流(Iq)1.5mA
驱动侧工作电压13V~33V
分类隔离式栅极驱动器
库存1,000
隔离电压(Vrms)5700V
通道数1
拉电流(IOH)15A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
下降时间(tf)30ns
传播延迟 tpHL130ns
输入低电平(VIL)0V~1.65V
CMTI(kV/us)150kV/us
功能特性米勒钳位保护

CA-IS3213MCG概述

CA-IS3213 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器, 可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。 器件具有出色的动态性能和高可靠性, 同时具有高达 ±15A 峰值的拉/灌电流能力。 器件通过 SiO₂ 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离, 支持 1.5kV_RMS 的隔离工作电压、12.8kV_PK 浪涌抗扰度, 额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年, 同时具有良好的器件一致性以及 >150V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。

CA-IS3213MCG特性

暂无产品特性。

CA-IS3213MCG应用领域

暂无应用领域。

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