CA-IS3212TSCG
IC
SOIC-8
可供量大可议
CA-IS3212TSCG
是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器， 可用于驱动MOSFET、IGBT、GaN、SiCMOSFET等功率器件。 该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性， 同时具有高达4A/5A峰值的拉/灌电流能力。 通过SiO₂电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离， 支持1.5kV_RMS的隔离工作电压、12.8kV_PK浪涌抗扰度， 额定工作电压下隔离栅寿命超过40年， 同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）。 具有控制和驱动侧电源UVLO功能， 同时针对SiC、GaN和IGBT开关行为进行了优化， 并提高了可靠性
品牌
Chipanalog
封装
SOIC-8
库存
1,000
货期
现货
CA-IS3212TSCG参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | Chipanalog(川土微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT、SiC、GaN |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V |
| 灌电流(IOL) | 5A |
| 上升时间(tr) | 10ns |
| 传播延迟 tpLH | 85ns |
| 输入高电平(VIH) | 2V~5.5V |
| 静态电流(Iq) | 1.15mA |
| 驱动侧工作电压 | 13.2V~33V |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| 隔离电压(Vrms) | 5700V |
| 通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 传播延迟 tpHL | 85ns |
| 输入低电平(VIL) | 0V~0.8V |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us |
| 功能特性 | 死区时间控制； 米勒钳位保护 |
CA-IS3212TSCG概述
是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器， 可用于驱动MOSFET、IGBT、GaN、SiCMOSFET等功率器件。 该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性， 同时具有高达4A/5A峰值的拉/灌电流能力。 通过SiO₂电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离， 支持1.5kV_RMS的隔离工作电压、12.8kV_PK浪涌抗扰度， 额定工作电压下隔离栅寿命超过40年， 同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）。 具有控制和驱动侧电源UVLO功能， 同时针对SiC、GaN和IGBT开关行为进行了优化， 并提高了可靠性
CA-IS3212TSCG特性
暂无产品特性。
CA-IS3212TSCG应用领域
暂无应用领域。