C81124J3C2612211LC
IC
插件, P=22mm
可供量大可议
C81124J3C2612211LC
特性：采用聚丙烯膜作介质, 用真空蒸发方法将铝沉积在薄膜正反面上作电极卷绕而成。 采用环氧粉末包封。 高频损耗小。 内部温升小。 自愈性好。 可靠性高。 应用：高压高频脉冲电路。 变频器的谐振电路
品牌
SRD
封装
插件, P=22mm
库存
320
货期
现货
C81124J3C2612211LC参数
| 封装 | 插件, P=22mm |
|---|---|
| 品牌 | SRD(圣融达) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 聚丙烯膜电容(CBB) |
|---|---|
| 库存 | 320 |
C81124J3C2612211LC概述
特性：采用聚丙烯膜作介质, 用真空蒸发方法将铝沉积在薄膜正反面上作电极卷绕而成。 采用环氧粉末包封。 高频损耗小。 内部温升小。 自愈性好。 可靠性高。 应用：高压高频脉冲电路。 变频器的谐振电路
C81124J3C2612211LC特性
暂无产品特性。
C81124J3C2612211LC应用领域
暂无应用领域。