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C6D08065E-TR-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

C6D08065E-TR-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中高电压功率转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能, 可支持高频运行。 独立封装设计便于电路集成与热管理, 适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节, 满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

34

货期

现货

C6D08065E-TR-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存34

C6D08065E-TR-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中高电压功率转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能, 可支持高频运行。 独立封装设计便于电路集成与热管理, 适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节, 满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。

C6D08065E-TR-HXY特性

暂无产品特性。

C6D08065E-TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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