C6D08065E-TR-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
C6D08065E-TR-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中高电压功率转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能, 可支持高频运行。 独立封装设计便于电路集成与热管理, 适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节, 满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
34
货期
现货
C6D08065E-TR-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 34 |
C6D08065E-TR-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中高电压功率转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能, 可支持高频运行。 独立封装设计便于电路集成与热管理, 适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节, 满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。
C6D08065E-TR-HXY特性
暂无产品特性。
C6D08065E-TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
