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C6D05170H-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

C6D05170H-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 反向重复电压(VR)高达1700V, 正向压降(VF)为1.32V。 依托碳化硅材料的高击穿电场强度, 器件具备优异的耐高压性能和热导率, 同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。 适用于高电压、高频率的电力转换场合, 如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。 其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计, 有助于提升整体能效与系统稳定性, 尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

1

货期

现货

C6D05170H-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存1

C6D05170H-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 反向重复电压(VR)高达1700V, 正向压降(VF)为1.32V。 依托碳化硅材料的高击穿电场强度, 器件具备优异的耐高压性能和热导率, 同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。 适用于高电压、高频率的电力转换场合, 如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。 其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计, 有助于提升整体能效与系统稳定性, 尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。

C6D05170H-HXY特性

暂无产品特性。

C6D05170H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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