C6D05170H-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
C6D05170H-HXY
该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 反向重复电压(VR)高达1700V, 正向压降(VF)为1.32V。 依托碳化硅材料的高击穿电场强度, 器件具备优异的耐高压性能和热导率, 同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。 适用于高电压、高频率的电力转换场合, 如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。 其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计, 有助于提升整体能效与系统稳定性, 尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
1
货期
现货
C6D05170H-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
C6D05170H-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 反向重复电压(VR)高达1700V, 正向压降(VF)为1.32V。 依托碳化硅材料的高击穿电场强度, 器件具备优异的耐高压性能和热导率, 同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。 适用于高电压、高频率的电力转换场合, 如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。 其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计, 有助于提升整体能效与系统稳定性, 尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。
C6D05170H-HXY特性
暂无产品特性。
C6D05170H-HXY应用领域
暂无应用领域。
