C4D30120D
IC
TO-247-3
可供量大可议
C4D30120D
凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势， 电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准， 同时还能实现更高的频率和功率密度。 SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求， 无需担心热失控。 结合 SiC 产品减少的冷却要求和改进的热性能， SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。
品牌
CREE LED
封装
TO-247-3
库存
390
货期
现货
C4D30120D参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | CREE LED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 390 |
C4D30120D概述
凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势， 电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准， 同时还能实现更高的频率和功率密度。 SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求， 无需担心热失控。 结合 SiC 产品减少的冷却要求和改进的热性能， SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。
C4D30120D特性
暂无产品特性。
C4D30120D应用领域
暂无应用领域。