C4D02120A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
C4D02120A-HXY
该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 反向重复峰值电压(VR)达1200V, 适用于高电压、中低电流的功率转换场合。 其正向压降(VF)典型值为1.36V, 导通损耗较低, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 开关速度快, 反向恢复电荷小, 适用于高频工作环境。 可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中, 支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
37
货期
现货
C4D02120A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 37 |
C4D02120A-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 反向重复峰值电压(VR)达1200V, 适用于高电压、中低电流的功率转换场合。 其正向压降(VF)典型值为1.36V, 导通损耗较低, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 开关速度快, 反向恢复电荷小, 适用于高频工作环境。 可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中, 支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。
C4D02120A-HXY特性
暂无产品特性。
C4D02120A-HXY应用领域
暂无应用领域。
