库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
C4D02120A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

C4D02120A-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 反向重复峰值电压(VR)达1200V, 适用于高电压、中低电流的功率转换场合。 其正向压降(VF)典型值为1.36V, 导通损耗较低, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 开关速度快, 反向恢复电荷小, 适用于高频工作环境。 可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中, 支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

37

货期

现货

C4D02120A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存37

C4D02120A-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 反向重复峰值电压(VR)达1200V, 适用于高电压、中低电流的功率转换场合。 其正向压降(VF)典型值为1.36V, 导通损耗较低, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 开关速度快, 反向恢复电荷小, 适用于高频工作环境。 可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中, 支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。

C4D02120A-HXY特性

暂无产品特性。

C4D02120A-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件