C3M0900170M-HXY

这是一款N沟道增强型功率MOSFET， 具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS）， 支持5A连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为800mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围为±22V， 具备较强的驱动适应性与栅极可靠性。 该器件适用于高电压开关电源、高压直流变换、逆变电路及功率调节装置， 可在高电磁干扰环境下稳定工作， 适用于对耐压能力与导通性能有要求的功率转换应用， 满足多种高压场景下的电能控制需求。