C3M0350120J
IC
TO-263-7
可供量大可议
C3M0350120J
特性：第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。 带驱动源极引脚的低阻抗封装。 漏极和源极之间的爬电距离为7mm。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容的高速开关。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。 应用：可再生能源。 高压DC/DC转换器
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-263-7
库存
478
货期
现货
C3M0350120J参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | WOLFSPEED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 478 |
C3M0350120J概述
特性：第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。 带驱动源极引脚的低阻抗封装。 漏极和源极之间的爬电距离为7mm。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容的高速开关。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。 应用：可再生能源。 高压DC/DC转换器
C3M0350120J特性
暂无产品特性。
C3M0350120J应用领域
暂无应用领域。