C3M0350120D-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
C3M0350120D-HXY
本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）， 支持7A连续漏极电流（ID）， 导通电阻为320mΩ（RDON）， 在高压与高频应用中表现出色。 基于碳化硅材料的优势， 该器件具备更高的热稳定性和更低的能量损耗， 适用于电源转换、新能源设备及高效率电路设计。 其优异的开关性能和耐压能力， 使其在复杂电磁环境中仍能保持可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
1
货期
现货
C3M0350120D-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
C3M0350120D-HXY概述
本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）， 支持7A连续漏极电流（ID）， 导通电阻为320mΩ（RDON）， 在高压与高频应用中表现出色。 基于碳化硅材料的优势， 该器件具备更高的热稳定性和更低的能量损耗， 适用于电源转换、新能源设备及高效率电路设计。 其优异的开关性能和耐压能力， 使其在复杂电磁环境中仍能保持可靠运行。
C3M0350120D-HXY特性
暂无产品特性。
C3M0350120D-HXY应用领域
暂无应用领域。