C3M0120090J-TR
IC
TO-263-7
可供量大可议
C3M0120090J-TR
特性：新的C3M碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 带有驱动源的新型低阻抗封装。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-263-7
库存
1
货期
现货
C3M0120090J-TR参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | WOLFSPEED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
C3M0120090J-TR概述
特性：新的C3M碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 带有驱动源的新型低阻抗封装。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
C3M0120090J-TR特性
暂无产品特性。
C3M0120090J-TR应用领域
暂无应用领域。