C3M0075120J
IC
TO-263-7
可供量大可议
C3M0075120J
特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 低阻抗封装， 驱动源引脚， 漏源之间爬电距离7mm。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-263-7
库存
61
货期
现货
C3M0075120J参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | WOLFSPEED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 61 |
C3M0075120J概述
特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 低阻抗封装， 驱动源引脚， 漏源之间爬电距离7mm。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
C3M0075120J特性
暂无产品特性。
C3M0075120J应用领域
暂无应用领域。