C3M0065090D
IC
TO-247-3
可供量大可议
C3M0065090D
特性：C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压与低导通电阻。 低电容的高速开关。 低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 无卤， 符合RoHS标准。 更高的系统效率。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-247-3
库存
23
货期
现货
C3M0065090D参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | WOLFSPEED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
C3M0065090D概述
特性：C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压与低导通电阻。 低电容的高速开关。 低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 无卤， 符合RoHS标准。 更高的系统效率。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
C3M0065090D特性
暂无产品特性。
C3M0065090D应用领域
暂无应用领域。