C3M0045065J1-TR-HXY
IC
TO-263-7L
可供量大可议
C3M0045065J1-TR-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为70A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为36mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备低导通损耗与优异的高频开关特性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中， 能够在高温和高频率工作条件下保持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263-7L
库存
9
货期
现货
C3M0045065J1-TR-HXY参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
C3M0045065J1-TR-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为70A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为36mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备低导通损耗与优异的高频开关特性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中， 能够在高温和高频率工作条件下保持稳定性能。
C3M0045065J1-TR-HXY特性
暂无产品特性。
C3M0045065J1-TR-HXY应用领域
暂无应用领域。