C3M0040120J1-HXY

本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能， 漏极电流ID为68A， 漏源击穿电压VDSS达1200V， 导通电阻RDON仅为40mΩ， 支持高效、低损耗的电力传输。 基于碳化硅材料的优势， 该器件具备更高的热稳定性和开关效率， 适用于高频率、高功率电源转换系统， 如高效能适配器、储能设备、智能电网以及精密电子控制模块等应用场景。