C3M0025065K
IC
TO-247-4
可供量大可议
C3M0025065K
特性：C3M™ SiC MOSFET技术。 优化封装， 带有独立驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷(Qπ)。 应用：EV充电器。 UPS
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-247-4
库存
6
货期
现货
C3M0025065K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | WOLFSPEED |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
C3M0025065K概述
特性：C3M™ SiC MOSFET技术。 优化封装， 带有独立驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷(Qπ)。 应用：EV充电器。 UPS
C3M0025065K特性
暂无产品特性。
C3M0025065K应用领域
暂无应用领域。