C3M0025065D-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 得益于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。 其宽栅压范围增强了驱动兼容性， 适合用于对动态响应和热管理要求较高的电力电子应用中。