C3D08065E-TR-HXY

该碳化硅二极管为独立式单体结构， 额定正向电流（IF）为8A， 反向重复峰值电压（VR）达650V， 正向导通压降（VF）为1.4V。 依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性， 器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度， 反向恢复电荷极低。 适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用， 能有效降低系统开关损耗， 提升功率密度与整体能效水平， 尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。