C3D03060F-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
C3D03060F-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.4V, 在瞬态条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速开关响应和较低的导通损耗, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 尤其在对热性能和空间布局有较高要求的应用中表现突出。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
7
货期
现货
C3D03060F-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 7 |
C3D03060F-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.4V, 在瞬态条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速开关响应和较低的导通损耗, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 尤其在对热性能和空间布局有较高要求的应用中表现突出。
C3D03060F-HXY特性
暂无产品特性。
C3D03060F-HXY应用领域
暂无应用领域。
