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C3D03060F-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

C3D03060F-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.4V, 在瞬态条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速开关响应和较低的导通损耗, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 尤其在对热性能和空间布局有较高要求的应用中表现突出。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

7

货期

现货

C3D03060F-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存7

C3D03060F-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.4V, 在瞬态条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速开关响应和较低的导通损耗, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 尤其在对热性能和空间布局有较高要求的应用中表现突出。

C3D03060F-HXY特性

暂无产品特性。

C3D03060F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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