C3225X5R1A226KT000N
IC
1210
可供量大可议
C3225X5R1A226KT000N
特性：高精度技术实现了多层更薄陶瓷介电层的使用, 从而获得高电容。 整体结构确保了卓越的机械强度和可靠性。 精确的尺寸公差便于高精度自动安装。 仅由陶瓷和金属组成, 即使在极端温度下也几乎不会出现性能下降, 性能极其可靠。 低杂散电容确保与标称值高度一致, 简化了电路设计过程。 低残余电感保证了卓越的频率特性。 应用：电子设备。 移动通信设备
品牌
TDK
封装
1210
库存
631
货期
现货
C3225X5R1A226KT000N参数
| 封装 | 1210 |
|---|---|
| 品牌 | TDK |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 贴片电容(MLCC) |
|---|---|
| 库存 | 631 |
C3225X5R1A226KT000N概述
特性：高精度技术实现了多层更薄陶瓷介电层的使用, 从而获得高电容。 整体结构确保了卓越的机械强度和可靠性。 精确的尺寸公差便于高精度自动安装。 仅由陶瓷和金属组成, 即使在极端温度下也几乎不会出现性能下降, 性能极其可靠。 低杂散电容确保与标称值高度一致, 简化了电路设计过程。 低残余电感保证了卓越的频率特性。 应用：电子设备。 移动通信设备
C3225X5R1A226KT000N特性
暂无产品特性。
C3225X5R1A226KT000N应用领域
暂无应用领域。