C2M1000170D
IC
TO-247-3
可供量大可议
C2M1000170D
特性：高速开关， 低电容。 高阻断电压， 低电阻。 易于并联， 驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：辅助电源。 开关模式电源
品牌
FUXINSEMI
封装
TO-247-3
库存
371
货期
现货
C2M1000170D参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 371 |
C2M1000170D概述
特性：高速开关， 低电容。 高阻断电压， 低电阻。 易于并联， 驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：辅助电源。 开关模式电源
C2M1000170D特性
暂无产品特性。
C2M1000170D应用领域
暂无应用领域。