C2M0280120D-HXY

本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）， 支持7A连续漏极电流（ID）， 导通电阻为320mΩ（RDON）， 展现出优异的高压与高频工作性能。 凭借碳化硅材料特性， 该器件在高温、高频率环境下仍能保持稳定运行， 适用于电源转换、无线充电、光伏逆变等高效率电路系统。 其高耐压能力和良好的导电性能， 使其成为高性能电力电子装置的理想选择。