C2M0160120D
IC
TO-247
可供量大可议
C2M0160120D
ID:18A, VDSS:1200V, RDON:160mR, VGS:20V, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
C2M0160120D参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 26+ |
| 分类 | 碳化硅场效应管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
C2M0160120D概述
ID:18A, VDSS:1200V, RDON:160mR, VGS:20V, TYPE:N沟道
C2M0160120D特性
暂无产品特性。
C2M0160120D应用领域
暂无应用领域。