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C2M0080120D
IC

TO-247-3

可供量大可议

C2M0080120D

特性:高阻断电压, 低导通电阻。 高速开关, 低电容。 易于并联, 驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤, 符合RoHS标准。 应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

品牌

FUXINSEMI

封装

TO-247-3

库存

11

货期

现货

C2M0080120D参数

封装TO-247-3
品牌FUXINSEMI(富芯森美)
MOQ / SPQ1 / 1
类型N沟道
耗散功率(Pd)192W
栅极电荷量(Qg)71nC
反向传输电容(Crss)7.5pF
输出电容(Coss)92pF
商品名称1200V 36A 碳化硅功率MOSFET
包装方式管装
商品类型碳化硅场效应管(MOSFET)
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存11
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)1.13nF
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))98mΩ
商品型号C2M0080120D
单位个
商品重量0.00805

C2M0080120D概述

特性:高阻断电压, 低导通电阻。 高速开关, 低电容。 易于并联, 驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤, 符合RoHS标准。 应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

C2M0080120D特性

暂无产品特性。

C2M0080120D应用领域

暂无应用领域。

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