C1812V473KDRACTU
IC
1812
可供量大可议
C1812V473KDRACTU
用于易发生表面电弧(飞弧放电)的高压应用。 表面电弧现象是由两个端接表面之间或端接表面之一与陶瓷体内的反内部电极结构之间的高压梯度引起的。 这种现象最常发生在满足或超过300V的应用电压、高湿度环境以及带宽间距(爬电距离)最小的芯片尺寸中。 这种现象可能会损坏周围组件或导致介电材料击穿, 最终导致短路情况(灾难性故障模式)。 专利的ArcShield技术采用了高可靠性的贱金属介电系统, 并结合了独特的内部屏蔽电极结构, 旨在抑制飞弧事件, 同时增加可用电容。 基于部分法拉第笼原理开发的这种内部系统与外部表面涂层技术相比, 具有无与伦比的性能和可靠性
品牌
KEMET
封装
1812
库存
38
货期
现货
C1812V473KDRACTU参数
| 封装 | 1812 |
|---|---|
| 品牌 | KEMET(基美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 贴片电容(MLCC) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
C1812V473KDRACTU概述
用于易发生表面电弧(飞弧放电)的高压应用。 表面电弧现象是由两个端接表面之间或端接表面之一与陶瓷体内的反内部电极结构之间的高压梯度引起的。 这种现象最常发生在满足或超过300V的应用电压、高湿度环境以及带宽间距(爬电距离)最小的芯片尺寸中。 这种现象可能会损坏周围组件或导致介电材料击穿, 最终导致短路情况(灾难性故障模式)。 专利的ArcShield技术采用了高可靠性的贱金属介电系统, 并结合了独特的内部屏蔽电极结构, 旨在抑制飞弧事件, 同时增加可用电容。 基于部分法拉第笼原理开发的这种内部系统与外部表面涂层技术相比, 具有无与伦比的性能和可靠性
C1812V473KDRACTU特性
暂无产品特性。
C1812V473KDRACTU应用领域
暂无应用领域。