C1812V104KDRACTU
IC
1812
可供量大可议
C1812V104KDRACTU
X7R电介质的KEMET ArcShield高压贴片电容器专为易发生表面电弧(闪络放电)的高压应用而设计。 表面电弧现象是由陶瓷体内两个端接表面之间或一个端接表面与相对内部电极结构之间的高电压梯度引起的。 这种现象最常发生在满足或超过300 V的应用电压下、高湿度环境中以及带宽间距(爬电距离)最小的芯片尺寸中。 这种现象可能会损坏周围组件或导致电介质材料击穿, 最终导致短路(灾难性故障模式)。 专利的ArcShield技术采用了KEMET高度可靠的贱金属电介质系统, 并结合了独特的内部屏蔽电极结构, 旨在抑制闪络事件, 同时增加可用电容。 这种内部系统基于部分法拉第笼原理开发, 与外部表面涂层技术相比, 具有无与伦比的性能和可靠性
品牌
KEMET
封装
1812
库存
19
货期
现货
C1812V104KDRACTU参数
| 封装 | 1812 |
|---|---|
| 品牌 | KEMET(基美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 贴片电容(MLCC) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
C1812V104KDRACTU概述
X7R电介质的KEMET ArcShield高压贴片电容器专为易发生表面电弧(闪络放电)的高压应用而设计。 表面电弧现象是由陶瓷体内两个端接表面之间或一个端接表面与相对内部电极结构之间的高电压梯度引起的。 这种现象最常发生在满足或超过300 V的应用电压下、高湿度环境中以及带宽间距(爬电距离)最小的芯片尺寸中。 这种现象可能会损坏周围组件或导致电介质材料击穿, 最终导致短路(灾难性故障模式)。 专利的ArcShield技术采用了KEMET高度可靠的贱金属电介质系统, 并结合了独特的内部屏蔽电极结构, 旨在抑制闪络事件, 同时增加可用电容。 这种内部系统基于部分法拉第笼原理开发, 与外部表面涂层技术相比, 具有无与伦比的性能和可靠性
C1812V104KDRACTU特性
暂无产品特性。
C1812V104KDRACTU应用领域
暂无应用领域。