BZX84C8V2Q-13-F
IC
SOT-23
可供量大可议
BZX84C8V2Q-13-F
特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
BZX84C8V2Q-13-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BZX84C8V2Q-13-F概述
特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
BZX84C8V2Q-13-F特性
暂无产品特性。
BZX84C8V2Q-13-F应用领域
暂无应用领域。