BZX84C3V0S-7-F
IC
SOT-363
可供量大可议
BZX84C3V0S-7-F
特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-363
库存
2,705
货期
现货
BZX84C3V0S-7-F参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2705 |
BZX84C3V0S-7-F概述
特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
BZX84C3V0S-7-F特性
暂无产品特性。
BZX84C3V0S-7-F应用领域
暂无应用领域。