BZX84B9V1
IC
SOT-23
可供量大可议
BZX84B9V1
特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装工艺。 应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
品牌
LGE
封装
SOT-23
库存
4,160
货期
现货
BZX84B9V1参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4160 |
BZX84B9V1概述
特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装工艺。 应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
BZX84B9V1特性
暂无产品特性。
BZX84B9V1应用领域
暂无应用领域。