BZX84B11Q-7-F
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BZX84B11Q-7-F
特性：±2%的Vz公差。 350mW的功耗。 齐纳电压范围为2.7V-39V。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
SOT-23-3
库存
10
货期
现货
BZX84B11Q-7-F参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
BZX84B11Q-7-F概述
特性：±2%的Vz公差。 350mW的功耗。 齐纳电压范围为2.7V-39V。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 具有高可靠性
BZX84B11Q-7-F特性
暂无产品特性。
BZX84B11Q-7-F应用领域
暂无应用领域。