BZW50-120B
IC
R6
可供量大可议
BZW50-120B
瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。 它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件， 如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。
品牌
ST
封装
R6
库存
4
货期
现货
BZW50-120B参数
| 封装 | R6 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
BZW50-120B概述
瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。 它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件， 如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。
BZW50-120B特性
暂无产品特性。
BZW50-120B应用领域
暂无应用领域。