BZT52C9V1LPQ-7
IC
X1-DFN1006-2
可供量大可议
BZT52C9V1LPQ-7
特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型， 中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
X1-DFN1006-2
库存
30
货期
现货
BZT52C9V1LPQ-7参数
| 封装 | X1-DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
BZT52C9V1LPQ-7概述
特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型， 中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
BZT52C9V1LPQ-7特性
暂无产品特性。
BZT52C9V1LPQ-7应用领域
暂无应用领域。