BZT52-B3V6X-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
BZT52-B3V6X-HXY
该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为3.6V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)为5μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合, 同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。 常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中, 作为电压基准、信号箝位或过压保护元件, 确保电路在低电压环境下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
100
货期
现货
BZT52-B3V6X-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
BZT52-B3V6X-HXY概述
该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为3.6V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)为5μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合, 同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。 常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中, 作为电压基准、信号箝位或过压保护元件, 确保电路在低电压环境下的稳定运行。
BZT52-B3V6X-HXY特性
暂无产品特性。
BZT52-B3V6X-HXY应用领域
暂无应用领域。
