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BZT52-B3V6X-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

BZT52-B3V6X-HXY

该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为3.6V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)为5μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合, 同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。 常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中, 作为电压基准、信号箝位或过压保护元件, 确保电路在低电压环境下的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

100

货期

现货

BZT52-B3V6X-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类稳压二极管
库存100

BZT52-B3V6X-HXY概述

该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为3.6V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)为5μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合, 同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。 常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中, 作为电压基准、信号箝位或过压保护元件, 确保电路在低电压环境下的稳定运行。

BZT52-B3V6X-HXY特性

暂无产品特性。

BZT52-B3V6X-HXY应用领域

暂无应用领域。

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