BZT52-B22J-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
BZT52-B22J-HXY
该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为22V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)仅为0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其在反向击穿状态下能提供稳定的22V参考电压, 同时具备极低的漏电流特性, 有助于提升电路效率与精度。 适用于消费电子、通信设备及便携式装置中的电压基准、过压箝位和信号保护等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
140
货期
现货
BZT52-B22J-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
BZT52-B22J-HXY概述
该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为22V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)仅为0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其在反向击穿状态下能提供稳定的22V参考电压, 同时具备极低的漏电流特性, 有助于提升电路效率与精度。 适用于消费电子、通信设备及便携式装置中的电压基准、过压箝位和信号保护等应用。
BZT52-B22J-HXY特性
暂无产品特性。
BZT52-B22J-HXY应用领域
暂无应用领域。
