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BZT52-B22J-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

BZT52-B22J-HXY

该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为22V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)仅为0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其在反向击穿状态下能提供稳定的22V参考电压, 同时具备极低的漏电流特性, 有助于提升电路效率与精度。 适用于消费电子、通信设备及便携式装置中的电压基准、过压箝位和信号保护等应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

140

货期

现货

BZT52-B22J-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类稳压二极管
库存140

BZT52-B22J-HXY概述

该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为22V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)仅为0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 其在反向击穿状态下能提供稳定的22V参考电压, 同时具备极低的漏电流特性, 有助于提升电路效率与精度。 适用于消费电子、通信设备及便携式装置中的电压基准、过压箝位和信号保护等应用。

BZT52-B22J-HXY特性

暂无产品特性。

BZT52-B22J-HXY应用领域

暂无应用领域。

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