BZT52-B11X-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
BZT52-B11X-HXY
该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为11V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性, 适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。 其低漏电流特性有助于降低待机功耗, 常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
140
货期
现货
BZT52-B11X-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
BZT52-B11X-HXY概述
该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为11V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性, 适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。 其低漏电流特性有助于降低待机功耗, 常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。
BZT52-B11X-HXY特性
暂无产品特性。
BZT52-B11X-HXY应用领域
暂无应用领域。
