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BZT52-B11X-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

BZT52-B11X-HXY

该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为11V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性, 适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。 其低漏电流特性有助于降低待机功耗, 常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

140

货期

现货

BZT52-B11X-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类稳压二极管
库存140

BZT52-B11X-HXY概述

该稳压二极管的正向电流(IF)为5mA, 反向稳定电压(VR)为11V, 正向压降(VF)为0.9V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 额定功耗(PD)为0.5W。 器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性, 适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。 其低漏电流特性有助于降低待机功耗, 常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。

BZT52-B11X-HXY特性

暂无产品特性。

BZT52-B11X-HXY应用领域

暂无应用领域。

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