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BYS12-90HE3_A/H-HXY
IC

SMA

可供量大可议

BYS12-90HE3_A/H-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 在导通状态下, 其正向压降为0.85V, 有助于减少功耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源中的续流路径、信号解调以及对效率和热性能有要求的通用电子电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

BYS12-90HE3_A/H-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

BYS12-90HE3_A/H-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 在导通状态下, 其正向压降为0.85V, 有助于减少功耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源中的续流路径、信号解调以及对效率和热性能有要求的通用电子电路。

BYS12-90HE3_A/H-HXY特性

暂无产品特性。

BYS12-90HE3_A/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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