BYS12-90HE3_A/H-HXY
IC
SMA
可供量大可议
BYS12-90HE3_A/H-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 在导通状态下, 其正向压降为0.85V, 有助于减少功耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源中的续流路径、信号解调以及对效率和热性能有要求的通用电子电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
BYS12-90HE3_A/H-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
BYS12-90HE3_A/H-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 在导通状态下, 其正向压降为0.85V, 有助于减少功耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源中的续流路径、信号解调以及对效率和热性能有要求的通用电子电路。
BYS12-90HE3_A/H-HXY特性
暂无产品特性。
BYS12-90HE3_A/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
