BYS12-90-M3/TR-HXY
IC
SMA
可供量大可议
BYS12-90-M3/TR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频信号处理等场合, 具备较快的开关速度与稳定的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
175
货期
现货
BYS12-90-M3/TR-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
BYS12-90-M3/TR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频信号处理等场合, 具备较快的开关速度与稳定的电气性能。
BYS12-90-M3/TR-HXY特性
暂无产品特性。
BYS12-90-M3/TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
