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BYS11-90-M3/TR3-HXY
IC

SMA

可供量大可议

BYS11-90-M3/TR3-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、续流保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

155

货期

现货

BYS11-90-M3/TR3-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存155

BYS11-90-M3/TR3-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、续流保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

BYS11-90-M3/TR3-HXY特性

暂无产品特性。

BYS11-90-M3/TR3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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