BYS10-45HE3_A/H-HXY
IC
SMA
可供量大可议
BYS10-45HE3_A/H-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
180
货期
现货
BYS10-45HE3_A/H-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
BYS10-45HE3_A/H-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。
BYS10-45HE3_A/H-HXY特性
暂无产品特性。
BYS10-45HE3_A/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
