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BYS10-45HE3_A/H-HXY
IC

SMA

可供量大可议

BYS10-45HE3_A/H-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

180

货期

现货

BYS10-45HE3_A/H-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

BYS10-45HE3_A/H-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。

BYS10-45HE3_A/H-HXY特性

暂无产品特性。

BYS10-45HE3_A/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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