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BYS10-35-M3/TR3-HXY
IC

SMA

可供量大可议

BYS10-35-M3/TR3-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于电源适配器、消费类电子产品和通用电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

180

货期

现货

BYS10-35-M3/TR3-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

BYS10-35-M3/TR3-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于电源适配器、消费类电子产品和通用电子设备中。

BYS10-35-M3/TR3-HXY特性

暂无产品特性。

BYS10-35-M3/TR3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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