BYS10-35-M3/TR3-HXY
IC
SMA
可供量大可议
BYS10-35-M3/TR3-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于电源适配器、消费类电子产品和通用电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
180
货期
现货
BYS10-35-M3/TR3-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
BYS10-35-M3/TR3-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于电源适配器、消费类电子产品和通用电子设备中。
BYS10-35-M3/TR3-HXY特性
暂无产品特性。
BYS10-35-M3/TR3-HXY应用领域
暂无应用领域。
