BYC8-600-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
BYC8-600-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向压降为1.5V, 在导通状态下功耗较低。 其反向漏电流典型值为10μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对恢复时间和能效有较高要求的电源整流与开关应用, 在高频工作环境中仍能维持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
49
货期
现货
BYC8-600-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
BYC8-600-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向压降为1.5V, 在导通状态下功耗较低。 其反向漏电流典型值为10μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对恢复时间和能效有较高要求的电源整流与开关应用, 在高频工作环境中仍能维持稳定性能。
BYC8-600-HXY特性
暂无产品特性。
BYC8-600-HXY应用领域
暂无应用领域。
