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BYC8-600-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

BYC8-600-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向压降为1.5V, 在导通状态下功耗较低。 其反向漏电流典型值为10μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对恢复时间和能效有较高要求的电源整流与开关应用, 在高频工作环境中仍能维持稳定性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

49

货期

现货

BYC8-600-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存49

BYC8-600-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向压降为1.5V, 在导通状态下功耗较低。 其反向漏电流典型值为10μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对恢复时间和能效有较高要求的电源整流与开关应用, 在高频工作环境中仍能维持稳定性能。

BYC8-600-HXY特性

暂无产品特性。

BYC8-600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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