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BXK9Q29-60EJ-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

BXK9Q29-60EJ-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为24毫欧, 栅源电压耐受20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中等功率开关场景, 如便携式设备电源管理、LED驱动电路及消费类电子主板供电模块。 器件在常规工作频率下表现稳定, 适合对成本与性能平衡有要求的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

BXK9Q29-60EJ-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

BXK9Q29-60EJ-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为24毫欧, 栅源电压耐受20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中等功率开关场景, 如便携式设备电源管理、LED驱动电路及消费类电子主板供电模块。 器件在常规工作频率下表现稳定, 适合对成本与性能平衡有要求的电路设计。

BXK9Q29-60EJ-HXY特性

暂无产品特性。

BXK9Q29-60EJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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