BXK9Q29-60EJ-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BXK9Q29-60EJ-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为24毫欧, 栅源电压耐受20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中等功率开关场景, 如便携式设备电源管理、LED驱动电路及消费类电子主板供电模块。 器件在常规工作频率下表现稳定, 适合对成本与性能平衡有要求的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
BXK9Q29-60EJ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
BXK9Q29-60EJ-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为24毫欧, 栅源电压耐受20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中等功率开关场景, 如便携式设备电源管理、LED驱动电路及消费类电子主板供电模块。 器件在常规工作频率下表现稳定, 适合对成本与性能平衡有要求的电路设计。
BXK9Q29-60EJ-HXY特性
暂无产品特性。
BXK9Q29-60EJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
