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BXK9Q29-60AJ-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

BXK9Q29-60AJ-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值24毫欧, 栅源耐压20V。 器件具备稳定的开关特性与较低的导通损耗, 适用于各类直流电源转换、负载开关电路及便携式设备的功率管理模块, 能够在大电流切换过程中保持高效运行并优化系统热性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

40

货期

现货

BXK9Q29-60AJ-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

BXK9Q29-60AJ-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值24毫欧, 栅源耐压20V。 器件具备稳定的开关特性与较低的导通损耗, 适用于各类直流电源转换、负载开关电路及便携式设备的功率管理模块, 能够在大电流切换过程中保持高效运行并优化系统热性能。

BXK9Q29-60AJ-HXY特性

暂无产品特性。

BXK9Q29-60AJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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