BXK9Q29-60AJ-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BXK9Q29-60AJ-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值24毫欧, 栅源耐压20V。 器件具备稳定的开关特性与较低的导通损耗, 适用于各类直流电源转换、负载开关电路及便携式设备的功率管理模块, 能够在大电流切换过程中保持高效运行并优化系统热性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
40
货期
现货
BXK9Q29-60AJ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
BXK9Q29-60AJ-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻典型值24毫欧, 栅源耐压20V。 器件具备稳定的开关特性与较低的导通损耗, 适用于各类直流电源转换、负载开关电路及便携式设备的功率管理模块, 能够在大电流切换过程中保持高效运行并优化系统热性能。
BXK9Q29-60AJ-HXY特性
暂无产品特性。
BXK9Q29-60AJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
