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BVSS138LT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

BVSS138LT1G

场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

22,251

货期

现货

BVSS138LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))10Ω@2.75V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存22,251
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)50V
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)25pF

BVSS138LT1G概述

场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道

BVSS138LT1G特性

暂无产品特性。

BVSS138LT1G应用领域

暂无应用领域。

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