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BUZ76A-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

BUZ76A-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极N型场效应晶体管, 采用Plannar技术制造, 适用于各种电源和电路模块。 TO220; N—Channel沟道, 650V; 4.5A; RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2.5~4.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

36

货期

现货

BUZ76A-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存36

BUZ76A-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极N型场效应晶体管, 采用Plannar技术制造, 适用于各种电源和电路模块。 TO220; N—Channel沟道, 650V; 4.5A; RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2.5~4.5V

BUZ76A-VB特性

暂无产品特性。

BUZ76A-VB应用领域

暂无应用领域。

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