BUZ10L-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
BUZ10L-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 具有适中的电压容限和漏极电流， 适用于中功率应用场景。 TO220； N—Channel沟道, 60V； 50A； RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
34
货期
现货
BUZ10L-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34 |
BUZ10L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 具有适中的电压容限和漏极电流， 适用于中功率应用场景。 TO220； N—Channel沟道, 60V； 50A； RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
BUZ10L-VB特性
暂无产品特性。
BUZ10L-VB应用领域
暂无应用领域。