BUK9Y153-100E, 115
IC
LFPAK56(PowerSO-8)
可供量大可议
BUK9Y153-100E, 115
逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 TrenchMOS 技术， 封装为 LFPAK56（Power SO8）。 该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和鉴定， 适用于高性能汽车应用。
品牌
Nexperia
封装
LFPAK56(PowerSO-8)
库存
5
货期
现货
BUK9Y153-100E, 115参数
| 封装 | LFPAK56(PowerSO-8) |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
BUK9Y153-100E, 115概述
逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 TrenchMOS 技术， 封装为 LFPAK56（Power SO8）。 该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和鉴定， 适用于高性能汽车应用。
BUK9Y153-100E, 115特性
暂无产品特性。
BUK9Y153-100E, 115应用领域
暂无应用领域。