BUK9Y12-100E, 115
IC
SOT-669
可供量大可议
BUK9Y12-100E, 115
逻辑电平N沟道MOSFET采用TrenchMOS技术， 封装为LFPAK56（Power SO8）。 该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证， 适用于高性能汽车应用。
Brand
Nexperia
Package
SOT-669
Stock
55
货期
现货
BUK9Y12-100E, 115Parameters
| 封装 | SOT-669 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
BUK9Y12-100E, 115概述
逻辑电平N沟道MOSFET采用TrenchMOS技术， 封装为LFPAK56（Power SO8）。 该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证， 适用于高性能汽车应用。
BUK9Y12-100E, 115特性
暂无产品特性。
BUK9Y12-100E, 115应用领域
暂无应用领域。