BUK9M35-80EX
IC
SOT1210
可供量大可议
BUK9M35-80EX
逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 TrenchMOS 技术， 封装为 LFPAK33 (Power33)。 该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证， 适用于高性能汽车应用。
品牌
Nexperia
封装
SOT1210
库存
488
货期
现货
BUK9M35-80EX参数
| 封装 | SOT1210 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 488 |
BUK9M35-80EX概述
逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 TrenchMOS 技术， 封装为 LFPAK33 (Power33)。 该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证， 适用于高性能汽车应用。
BUK9M35-80EX特性
暂无产品特性。
BUK9M35-80EX应用领域
暂无应用领域。