BUK9K30-80EX
IC
SOT1205
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BUK9K30-80EX
2个N沟道 耐压:80V 电流:17A
品牌
Nexperia
封装
SOT1205
库存
47
货期
现货
BUK9K30-80EX参数
| 封装 | SOT1205 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | BUK9K30-80EX |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00055 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 输入电容(Ciss) | 2.297nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:80V 电流:17A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
BUK9K30-80EX概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56D(双Power - SO8)封装的双逻辑电平N沟道MOSFET。 该产品已按照AEC - Q101标准进行设计和认证, 适用于高性能汽车应用。
BUK9K30-80EX特性
- 双MOSFET
- 符合AEC
- Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C, 适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极, 在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
BUK9K30-80EX应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 电机、灯具和电磁阀控制
- 变速器控制
- 超高性能功率开关